美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。

这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012 年创立，当时名为 Cambridge Electronics，并于 2022 年 6 月更名为 Finwave Semiconductor（在加利福尼亚州圣地亚哥和湾区设有办事处），其产品组合包括氮化镓 （GaN） FinFET、增强模式 （E-mode） MISHEMT 和高性能射频开关。

首席执行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“本轮融资验证了我们专有硅基氮化镓技术背后的多年工程和创新，并为我们提供了从开发阶段转向交付差异化高性能产品所需的资源。

Finwave 将利用这笔投资来加速创收，扩大其产品组合，并继续为以下目标细分市场开发硅基氮化镓技术：高功率射频开关、用于通信基础设施的功率放大器和用于移动设备的功率放大器。

“自我们最初投资以来，Finwave 在成为硅基氮化镓高性能射频元件的领导者方面取得了显着进展，”Fine Structure Ventures 的高级董事总经理 Jennifer Uhrig 评论道。“他们与 GlobalFoundries 的战略代工合作伙伴关系以及与 RFMW 的分销合作伙伴关系尤其引人注目，这使他们的设计能力合法化，并让客户对 Finwave 将高性能、可靠产品推向市场的能力充满信心，”她补充道。

据称，Finwave 的硅基氮化镓技术改进了 GaN 解决方案的卓越性能，同时利用了大批量 CMOS 硅晶片的成本和规模制造优势。其产品组合包括高功率射频开关，由于 Finwave 与射频分销商 RFMW 的合作，这些开关现已在全球范围内销售，以及即将推出的射频功率放大器。

“作为 Finwave 的早期投资者，我们有幸在团队推进麻省理工学院射频半导体技术、实现世界纪录的射频性能时为他们提供支持，”Engine Ventures 的普通合伙人 Reed Sturtevant 指出。

“未来几年，许多行业将从 Finwave 平台中受益匪浅，”Safar 的管理合伙人 Arunas Chesonis 补充道。

Finwave 的产品路线图旨在充分利用 GaN 的潜力，旨在提供具有成本效益的射频器件，提供增强的性能，并实现更高效的射频系统。该公司独特的硅基氮化镓射频芯片针对射频应用，包括通信基础设施（基站、MIMO、小基站、陆地移动无线电（LMR，客户本地设备，固定无线接入，Wi-Fi路由器，卫星，雷达，无人机，反无人机，反无人机，测试和测量设备，以及医疗设备。