随着内存巨头加大对 10 纳米级 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已开始运送全球首款基于 1γ 节点的 LPDDR5X 内存的认证样品，旨在增强旗舰智能手机的 AI 性能。

正如 ZDNet 所指出的，1γ 工艺标志着第六代 10nm 级 DRAM，预计将在今年晚些时候加速量产。该节点的线宽约为 11 至 12 纳米，在韩国半导体行业通常称为 1c DRAM。

ZDNet 还指出，LPDDR5X 代表了目前市场上最先进的一代低功耗 DRAM，主要应用于移动设备。

根据美光的新闻稿，美光目前正在与精选合作伙伴一起对基于 1γ LPDDR5X 16GB 的产品进行样品，并计划提供从 8GB 到 32GB 的全系列容量，用于 2026 年的旗舰智能手机。

美光基于 1γ 的 LPDDR5X 的主要特点

新闻稿还指出，该LPDDR5X为 LPDDR5X 提供业界最快的速度等级，达到 10.7 吉比特每秒 （Gbps），同时节省高达 20% 的功耗。

为了支持更纤薄的智能手机设计，美光将其 LPDDR5X 内存设计为业界最薄的封装，尺寸仅为 0.61 毫米。该公司表示，这使得它比竞争产品薄 6%，与上一代产品相比高度降低 14%。

美光在其新闻稿中表示，基于 1γ 的 LPDDR5X 是其首款采用先进 EUV 光刻技术的移动内存解决方案。

2025 年 2 月下旬，美光在一份新闻稿中宣布，它已向英特尔和 AMD 等客户交付了 1γ （gamma） DDR5 样品，成为内存领域第一家这样做的公司。

值得注意的是，根据其新闻稿，美光也是唯一一家同时为 AI 服务器提供 HBM3E 和 SOCAMM 内存的公司。美光指出，其与 NVIDIA 共同开发的 SOCAMM LPDDR5X支持 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片。

三星和 SK 海力士继续开发 1c DRAM

与此同时，韩国竞争对手三星和 SK 海力士也在加速开发自己的 1c DRAM。2024 年 8 月，SK 海力士在官方发布会上宣布，它使用其 1c 节点开发了业界首款 16Gb DDR5，这是第六代 10nm 级工艺。根据 2025 年 1 月的 MoneyToday 报告，据报道，该公司已完成其 1c DDR5 的量产资格认证。

相比之下，正如 MoneyToday 所强调的那样，三星推迟了其第六代 （1c） 10nm 级 DRAM 的开发，将其目标推迟到 2025 年 6 月。